海因里希·魯道夫·赫茲(heinrich rudolf hertz)在1886年至1888年間首先通過試驗驗證了麥克斯韋爾的理論。他證明了無線電輻射具有波的所有特性,並發現電磁場方程可以用偏微分方程表達,通常稱為波動方程。1887年11月5日,赫茲在寄給亥姆霍茲一篇題為《論在絕緣體中電過程引起的感應現象》的論文中,總結了這個重要發現。接著,赫茲還通過實驗確認了電磁波是橫波,具有與光類似的特性,如反射、折射、衍射等,並且實驗了兩列電磁波的干涉,同時證實了在直線傳播時,電磁波的傳播速度與光速相同,從而全面驗證了麥克斯韋的電磁理論的正確性。並且進一步完善了,使它更加優美、對稱,得出了麥克斯韋方程組的現代形式。此外,赫茲又做了一系列實驗。他研究了紫外光對火花放電的影響,發現了光電效應,即在光的照射下物體會釋放出電子的現象。這一發現,後來成了愛因斯坦建立光量子理論的基礎。1888年1月,赫茲將這些成果總結在《論動電效應的傳播速度》一文中。赫茲實驗公布後,轟動了全世界的科學界。由法拉第開創,麥克斯韋總結的電磁理論,至此才取得決定性的勝利。1888年,成了近代科學史上的一座里程碑。赫茲的發現具有劃時代的意義,它不僅證實了麥克斯韋發現的真理,更重要的是開創了無線電電子技術的新紀元。隨著麥可遜在1881年進行的實驗和1887年的麥可遜-莫雷實驗推翻了光以太的存在,赫茲改寫了麥克斯韋方程組,將新的發現納入其中。通過實驗,他證明電信號象詹姆士·麥克斯韋和預言的那樣可以穿越空氣,這一理論是發明無線電的基礎。他注意到帶電物體當被紫外光照射時會很快失去它的電荷,發現了,後來由阿爾伯特·愛因斯坦給予解釋。赫茲
光電效應
光照射到某些物質上,引起物質的電性質發生變化。這類光致電變的現象被人們統稱為。金屬表面在光輻照作用下發射電子的效應,發射出來的電子叫做。光波長小於某一臨界值時方能發射電子,即極限波長,對應的光的頻率叫做極限頻率。臨界值取決於金屬材料,而發射電子的能量取決於光的波長而與光強度無關,這一點無法用光的波動性解釋。還有一點與光的波動性相矛盾,即光電效應的瞬時性,按波動性理論,如果入射光較弱,照射的時間要長一些,金屬中的電子才能積累住足夠的能量,飛出金屬表面。可事實是,只要光的頻率高於金屬的極限頻率,光的亮度無論強弱,光子的產生都幾乎是瞬時的,不超過十的負九次方秒。正確的解釋是光必定是由與波長有關的嚴格規定的能量單位(即光子或光量子)所組成。這種解釋為所提出。光電效應由德國物理學家赫茲於1887年發現,對發展起了根本性作用,在光的照射下,使物體中的電子脫出的現象叫做光電效應(photoelectric effect)。光電效應分為光電子發射、和。前一種現象發生在物體表面,又稱外光電效應。後兩種現象發生在物體內部,稱為。光電效應里,電子的射出方向不是完全定向的,只是大部分都垂直於金屬表面射出,與光照方向無關,光是電磁波,但是光是高頻震盪的正交電磁場,振幅很小,不會對電子射出方向產生影響。hυ=(1/2)mv^2 i w 式中(1/2)mv^2是脫出物體的光電子的初。金屬內部有大量的自由電子,這是金屬的特徵,因而對於金屬來說,i項可以略去,成為 hυ=(1/2)mv^2 w 假如hυ光電倍增管。光電倍增管能將一次次閃光轉換成一個個放大了的,然後送到電子線路去,記錄下來。算式在以愛因斯坦方式量化分析光電效應時使用以下算式:= 移出一個電子所需的能量 被發射的電子的動能 代數形式:hf=φ em φ=hf0 em=(1/2)mv^2 其中 h是,h = 6.63 ×10^-34 j·s,f是入射光子的頻率,φ是功函式,從原子鍵結中移出一個電子所需的最小能量,f0是光電效應發生的閥值頻率,em是被射出的電子的最大動能,m是被發射電子的靜止質量,v是被發射電子的速度,如果光子的能量(hf)不大於功函式(φ),就不會有電子射出。有時又以w標記。這個算式與觀察不符時(即沒有射出電子或電子動能小於預期),可能是因為系統沒有完全的效率,某些能量變成熱能或輻射而失去了。愛因斯坦因成功解釋了光電效應而獲得1921年。
接觸力學
接觸力學是研究相互接觸的物體之間如何變形的一門學科。赫茲1882年發表了關於接觸力學的著名文章“關於彈性固體的接觸(on the contact of elastic solids)”,赫茲進行這方面研究的初衷是為了理解外力如何導致材料光學性質的改變。為了發展他的理論,赫茲用一個玻璃球放置在一個稜鏡上,他首先觀察到這個系統形成了橢圓形的牛頓環,以此實驗觀察,赫茲假設玻璃球對稜鏡施加的壓力也為橢圓分布。隨後他根據壓力分布計算了玻璃球導致的稜鏡的位移並反算出牛頓環,以此再和實驗觀察對比以檢驗理論的正確性。最後赫茲得到了接觸應力和法向載入力,接觸體的曲率半徑,以及彈性模量之間的關係。赫茲的方程是研究疲勞,摩擦以及任何有接觸體之間相互作用的基本方程。
赫茲接觸理論的主要缺點是沒有考慮兩個接觸體之間的結合力。這一問題在1971年 k. l. johnson k. kendall 和 a. d. roberts解決,他們提出了最後以三人名字命名的jkr接觸理論。jkr理論中他們考慮了材料的表面能效應,由於表面能的存在,相互接觸的固體之間將引進一個結合力,最後根據能量平衡的原理,他們得到一個方程描述接觸應力分布,接觸體曲率半徑,彈性模量以及材料表面能之間的關係。在jkr模型中,當表面能為零時,方程自然過渡到赫茲方程。推導jkr模型的前提之一是,認為兩個接觸體的所有相互作用均發生在接觸半徑之內,後來證明如果採用不同的假設會得到不同的結論。1975年,b.v.derjaguin, v. m. muller and y. p. toporov等人假設接觸體之間相互作用可以發生在接觸半徑之外,據此假設提出了所謂的dmt模型試圖考慮結合力的影響。根據jkr和dmt模型,會的到不同的(pull-off)分離力(分開兩個接觸體所需要的最大作用力),這一不同的結果曾引起很多爭論,最後muller等人指出jkr和dmt模型各有各的套用範圍:jkr模型對大顆粒,高表面能,低彈性模量的材料描述較好。而dmt模型則相反。